An Experimental and Computer Simulation Study of the Process of Buried SiO Layer Formation After Oxygen Ion Implantation into Silicon - 香港中文大學學術研究文庫 - Converis标准配置

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An Experimental and Computer Simulation Study of the Process of Buried SiO Layer Formation After Oxygen Ion Implantation into Silicon

Publication in refereed journal

香港中文大學研究人員

魏爾遜教授 (電子工程學系)

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其它資訊

著者WILSON Ian Howard, R.A. Yankov, I.R. Chakarov

期刊名稱Radiation Effects

出版年份1990

期次115

頁次157

語言英式英語

關鍵詞BURIED SiO__2 ; ION IMPLANTATION ; SYNTHESIS