An Experimental and Computer Simulation Study of the Process of Buried SiO Layer Formation After Oxygen Ion Implantation into Silicon
Publication in refereed journal

香港中文大學研究人員

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著者WILSON Ian Howard, R.A. Yankov, I.R. Chakarov
期刊名稱Radiation Effects
出版年份1990
期次115
頁次157
語言英式英語
關鍵詞BURIED SiO__2 ; ION IMPLANTATION ; SYNTHESIS

上次更新時間 2018-24-01 於 17:37