Formation of Gallium Nitride (GaN) Transition Layer by Plasma Immersion Ion Implantation and Rapid Thermal Annealing
Refereed conference paper presented and published in conference proceedings

香港中文大學研究人員

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著者Kwok, Dixon T.K., Aaron H.P. Ho, X.C. Zeng, Chung Chan, Paul K. Chu, S.P. Wong
會議名稱Abstracts of the Materials Research Society 2000 Spring Meeting Paper K5.29
會議國家/地區美國
會議論文集題名Abstracts of the Materials Research Society 2000 Spring Meeting Paper K5.29
出版年份2000
月份4
出版地United States of America, San Francisco, USA
頁次199
語言英式英語
關鍵詞GAN ; PIII ; RTA

上次更新時間 2020-25-11 於 03:27